epitaxial region / Epitaxialgebiet
jog / Sprung, Versetzungssprung (Kristallgitter)
oxide diffusion mask / Oxiddiffusionsmaske
registration (Maskentechnik) / Deckungsgenauigkeit, Übereinstimmung
(Budig, Fachwörterbuch Elektrotechnik und Elektronik)

Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn mindestens eine kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) einer Orientierung des kristallinen Substrates entspricht.
https://de.wikipedia.org/wiki/Epitaxie

Zwischenzeitlich hat Arne eine wertvolle Quelle in die Diskussion gestellt, die m.En.n. sehr gut zu meinen bisherigen Ergebnissen passt:

Zitate aus Arnes Referenz:

5.2.3 Elektromigration
Bei hohen Stromdichten (Stromfluss pro Fläche) tritt eine Reibung zwischen den Elektronen und den festen Atomrümpfen auf, die Atome werden von ihren Plätzen wegbewegt. Besonders an Stellen mit geringem Leiterbahnquerschnitt ist die Stromdichte erhöht, durch die Verschiebung der Atome nimmt der Querschnitt ab, die Stromdichte steigt weiter an. Insbesondere an Kanten über die die Leiterbahnen verlaufen sind solche Engstellen zu finden. Im Extremfall reißen die Aluminiumleiterbahnen durch den Materialtransport ab.

5.2.4 Hillockwachstum
Durch die Elektromigration wird Material verschoben und an Stellen geringer Stromdichte angehäuft. Durch diese so genannten Hillocks (Hügel) können darüber liegende Schichten durchbrochen werden, was zu einem Kurzschluss mit einer anderen Metallisierungsebene führen kann, außerdem kann Feuchtigkeit durch die Risse eindringen und Korrosion verursachen. Hillocks entstehen aber auch auf Grund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten der Materialien. Die Stoffe dehnen sich bei Temperaturänderungen unterschiedlich aus, und es entstehen Spannungen zwischen den Schichten.
Mit Ausgleichsschichten, die einen „mittleren“ Ausdehnungskoeffizienten haben, kann dieses Problem gelöst werden (z.B. Titan, Titannitrid).
Weitere negative Effekte die bei der Metallisierung auftreten können:
• Streubelichtung: das Metall kann bei unebenen Oberflächen einfallende Lichtstrahlen bei der Belichtung schräg reflektieren, so dass auch Bereiche neben der eigentlichen Belichtung belichtet werden. Mit Hilfe einer Antireflexschicht aus amorphem Silicium wird die Reflexion verhindert
• Schlechte Kantenabdeckung: an Kanten kann es zu vermehrtem, in Ecken zu vermindertem Aufwachsen der Schicht kommen. Die Kanten müssen deshalb verrundet werden:
https://www.halbleiter.org/pdf/de/halbleitertechnologie/Halb...

Damit kann er fragliche Kontextsatz vorläufig wie folgt übersetzt werden:

L-shaped oxide diffusion, C-shaped oxide diffusion and other types of jog oxide diffusion rounding are still insufficiently covered by epitaxial region (EPI) jog rounding at N/P boundaries.
=>
Die L-förmige Oxiddiffusion (OD), die C-förmige Oxiddiffusion und andere Arten der Gittersprung-Oxiddiffusion werden durch das Verrunden der -Gittersprünge im Epitaxialbereich an den N/P-Grenzen noch nicht ausreichend abgedeckt.

Trotzdem wäre es noch sinnvoll, Informationen zu der angewendeten Lithographietechnik und der benutzten Wellenlänge zu erhalten.

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Note added at 10 Stunden (2024-02-11 21:20:20 GMT)
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Zwischenzeitlich hat der Frager angemerkt, dass es sich beim Verrunden vermutlich um ein Ätzverfahren handele. Dies kann aus meiner Erfahrung und einiger Referenzen bestätigt werden.

Elektrolytisches Glätten, Entgraten und Verrunden von Kanten an Bauteilen mittels Spezialelektrolyten.
mtu-maintenance.com
Electrolytic smoothing, deburring and rounding of component edges using special-purpose electrolytes.
https://www.linguee.de/deutsch-englisch/uebersetzung/elektro...

7.6. (D2) liegt auch eine Aufgabestellung zugrunde, nämlich Beseitigung des "Blechmantels" bei Grauguß (gebildet aus Schleifgrat, losen Schleifpartikeln und ggf. Graphitfreilegungen), die in eine andere Richtung weist als die dem Streitpatent objektiv zugrundeliegende Aufgabe, die zum Ziel hat, Plateauflächen der Silizium-Kristalle zu erhalten, ohne diese zu verrunden.
https://www.epo.org/de/boards-of-appeal/decisions/t950398du1

Fertigung einer Bedampfungsmaske durch Mikrobohren und Nutzung des Elektropolierens zur Gratentfernung
:
Sollen hingegen mehrere Substrate mit festem Design bedampft werden, bieten Ätzen und lithographische Verfahren Vorteile [8].
:
Nachdem die gesamte Fläche der Bedampfungsmaske elektropoliert worden war, wurde das Ergebnis abschließend im Rasterelektronenmikroskop untersucht. Abb. 13 und Abb. 14 zeigen, dass sogar auf der extrem gratbehafteten Unterseite der Bedampfungsmaske der Grat vollständig entfernt werden konnte ohne die Kanten der Bohrung unzulässig zu verrunden.
https://www.google.de/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd...

Eine senkrechte Ätzung in das Silizium für die Kastenprofile der Wellenleiter kann auf verschiedene Weisen erreicht werden. Deren hauptsächliche Vor- und Nachteile sind:
• Ionenätzen, Abtrag durch Ionenbeschuss: langsam, hohe Substratbelastung, geringe Selektivität, viele Materialsysteme möglich.
• Kyro-Ätzen, trockenchemisches Ätzen bei tiefen Temperaturen: Metall oder Oxidmaske notwendig, thermische Substratbelastung.
• Bosch-Prozess: zeitgeschaltetes trockenchemisches Ätzen und Passivieren, dadurch entstehen wellenförmige Rauhigkeiten, mit Photolack maskierbar.
:
Die Ecken der Ober- und Unterseite des Wellenleiterkerns verrunden durch die thermische Oxidation. Dadurch wird der Wellenleiterkern an die Form der Moden angepasst.
https://tore.tuhh.de/dspace-cris-server/api/core/bitstreams/...